Beca: 92.000 a 120.000 dólares
Titulación: PhD, MD
Nacionalidad: Se anima a los estudiantes internacionales/PD dentro y fuera de los EE.UU. a aplicar.
Ubicación: EE.UU.
Plazos de solicitud: La fecha de inicio es flexible
Descripción de la beca:
Múltiples puestos de asistente de investigación postdoctoral y de postgrado en el área de Fotónica Cuántica están disponibles en el Centro de Nanotecnologías Integradas (Los Alamos Gateway). Buscamos candidatos destacados para unirse a nuestros esfuerzos en la caracterización espectroscópica de materiales 2D y sus heteroestructuras, defectos cuánticos en estado sólido, nanocristales semiconductores, nanotubos de carbono de pared simple y nanoestructuras híbridas metal-semiconductoras. El alcance de los proyectos abarca desde el estudio de la fotofísica fundamental y la óptica cuántica hasta la integración de emisores cuánticos en dispositivos cuánticos prototipo. El candidato seleccionado tendrá acceso directo a herramientas espectroscópicas ópticas avanzadas para nanoestructuras individuales, incluyendo sistemas PL/PLE/TRPL de baja temperatura, magneto PL, ODMR, sistema NSOM/AFM sin apertura, microscopio confocal Raman de barrido e instalaciones de fabricación microelectrónica de última generación. El candidato trabajará en estrecha colaboración con varios científicos del LANL: Han Htoon, Scott Crooker, Andrew Jones y Jennifer A. Hollingsworth. Los candidatos más destacados podrán ser considerados para una prestigiosa beca del Director, J. Robert Oppenheimer, Richard P. Feynman o Frederick Reines.
Temas disponibles:
Procesos fotofísicos fundamentales de nanoestructuras híbridas semiconductoras, metálicas y metal-semiconductoras
Criterios de elegibilidad:
Experiencia en una o más de las siguientes técnicas experimentales: Espectroscopia ODMR, microscopia de barrido del centro NV, espectroscopia ultrarrápida, espectroscopia/microscopia de una sola molécula (punto cuántico), microscopia/espectroscopia de campo cercano, microscopia AFM/STM, ensamblaje de materiales 2D y fabricación de dispositivos, fabricación de materiales fotónicos/plasmónicos/meta y su integración con emisores cuánticos. Una sólida formación en procesos fotofísicos fundamentales de nanoestructuras híbridas semiconductoras, metálicas y metal-semiconductoras. Excelentes habilidades de comunicación escrita y oral.
Procedimiento de solicitud:
Para consultas técnicas adicionales y para presentar su solicitud, póngase en contacto con Han Htoon ([email protected], 505-665-5444). Para información general, consulte http://www.lanl.gov/science/postdocs/ o http://www.lanl.gov/education/grad/.
